,雪崩二極體（avalanchediode）是設計在特定逆向電壓下，會突崩潰的二極體，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極體的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生 ...,二極體之崩潰（Breakdown）是由二種效應之一所造成，雪崩（Avalanche，又稱為累增）或曾納（Zener）效應。當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了 ...,由李奕廷著作·2005—在崩潰電壓方面，則和磊晶層厚度Tepi與磊晶層濃度Nepi，.以及橫向與縱向二極體結構共同決定，其詳細討論在第三章元件耐高壓原理已經.提出探討過。4.2陽極短路結構.,....
雪崩效應半導體Avalanche breakdownavalanche breakdown原理雪崩二極體 原理mosfet崩潰機制zener breakdown原理稽納崩潰累增崩潰稽納崩潰原理avalanche breakdown原理avalanche breakdown中文雪崩崩潰原理Zener breakdownZener and avalanche breakdownavalanche中文Avalanche breakdown voltage雪崩效應雪崩二極體原理zener breakdown中文Avalanche breakdown稽納崩潰累增崩潰稽納崩潰原理Zener breakdown Avalanche breakdownmosfet失效崩潰電壓MOSFET 擊穿MOSFET雪崩 效應MOSFET dv/dt ruggednessMOSFET SOAMOS DS 短路稽納二極體崩潰電壓稽納二極體接法齊納崩潰zener diode穩壓稽納二極體特性曲線齊納二極體穩壓原理zener breakdown原理累增崩潰英文稽 納 二極體 故障稽 納 二極體 接 法齊納二極體計算photodetector原理photodiode原理光電二極體使用方法暗電流 原理雪崩光電二極體雪崩光電二極體apd
相關分類資訊