特殊二極體 | 愛學習

雪崩二極體（avalanche diode）是設計在特定逆向電壓下，會突崩潰的二極體，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極體的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生 ...

二極體之崩潰（Breakdown）是由二種效應之一所造成，雪崩（Avalanche ，又稱為累增）或曾納（Zener）效應。當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了 ...

由 李奕廷 著作 · 2005 — 在崩潰電壓方面，則和磊晶層厚度Tepi 與磊晶層濃度Nepi，. 以及橫向與縱向二極體結構共同決定，其詳細討論在第三章元件耐高壓原理已經. 提出探討過。 4.2 陽極短路結構.

... 崩潰電壓）時，pn接面的電阻突然減小，逆向電流急劇增大，這種現象稱為電擊穿。電擊穿分為突崩潰和齊納崩潰，兩者都是可逆的。 突崩潰的原理如下。當逆向偏壓會加速pn ...

2020年9月7日 — 其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。 另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发 ...

雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生 ...

雪崩二極體（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極體，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極體的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生 ...

2020年9月15日 — PN結反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿，一般兩種擊穿同時存在，但在電壓低於5-6V時的擊穿以齊納擊穿為主，而電壓高於5-6V時的擊穿以雪崩擊穿為主。

这些高能离子原子继续碰撞并激发其他原子，形成一个连锁反应。这会导致晶体中能带的电子与空穴对逐渐崩溃，并产生大量的自由载流子。 由于雪崩效应的存在，雪崩二极管的逆 ...