sio2介電常數 | 愛學習

低介電係數材料的研究是同高分子材料密切相關的。傳統半導體使用二氧化矽作為介電材料，氧化矽的介電係數約為4。真空的介電係數為1，乾燥空氣的介電係數接近於1。 目次.

二氧化矽SiO2具有良好的力學、熱學穩定性，介電常數低(ε≈4.0)、與矽晶片的相容性好，長期以來一直作爲半導體晶片內部的介電絕緣材料。爲解決由於電路中 ...

電容值又與晶片內金屬線之間的絕緣介電質材料的介電常數k有關，k愈小，電容值就愈小。一般常用的金屬線之間的介電材料是二氧化矽（SiO2），它的介電常數約在3.9k至4.5k之間 ...

所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的 ... 一直作為金屬導線間絕緣材料的化二氧化矽(SiO2)，介電係數約為3.9~4.5間 ...

在電磁學裏，相對電容率，又稱為相對介電常數，定義為電容率與真空電容率的比例∶. 水的相對靜電容率與溫度的關係曲線圖。 ε r = d e f ε ε 0 -displaystyle ...

目前有許多有希望取代SiO2 作為閘極氧化層的的高介電常數材料，如二元氧化物的Si3N4、Al2O3、Y2O3、La2O3、Ta2O5、TiO2、HfO2、ZrO2..等材料都被廣泛地研究. 氧化釔.

本文將探討低介電常數材料之特性及其在製程整合上之技術挑戰。 此外，在文中也將介紹將低介電常數材料應用於薄膜電晶體顯示陣列上的新穎製程技. 術 ...