3 9 月, 2024
P型與N型半導體結合成為二極體，物理特性及電路符號的介紹，擴散電流、漂移電流、逆向飽和電流及切入電壓的形成
- 製作者：國家教育研究院、教育部國民及學前教育署、台達文教基金會
- 製作年份：2016
- 授權方式：cc4_BY
- 領域：電機電子群
- 學習內容：電電-專-電子-B-b P-N接面二極體
- 學習表現：
- 議題：科技教育
資訊教育 - 核心素養：
A2 系統思考與解決問題
A3 規劃執行與創新應變
B1 符號運用與溝通表達
B2 科技資訊與媒體素養
教學影片連結：https://stv.naer.edu.tw/watch/344399
標籤: 108課綱電子學, 108課綱電機電子群, 111電機系排名, 112專題製作競賽, 112電機系排名, 1n4007二極體規格, bjt ic公式, bjt原理, bjt應用, bjt擴散電流, bjt放大器, bjt特性曲線, bjt電流公式, bjt飽和區電流公式, Breakdown voltage, breakdown voltage中文, breakdown voltage定義, buck電感計算, Diffusion current, diffusion current中文, Diode IFSM, Drift current and diffusion current, Drift current density, drift current density中文, electron diffusion中文, Electron mobility, Electron mobility temperature, Electron mobility unit, electron mobility公式, forward bias中文, forward current中文, forward voltage中文, impedance i r, impedance resistance差異, Impedance vs resistance, IRMS, Irms Isat, irms公式, irms意思, irms計算, irms電流, Isat , Irms, isat公式, isat考試, isat電流, led vf特性, LED 燈泡 的電流, LED 飽和 電流, LED亮度 電流, led導通電壓, led特性曲線, led電路圖正負, led電路符號, led驅動電壓, led驅動電路設計與應用pdf, Mobility 半導體 公式, mobility半導體公式, mobility半導體單位, mos vth公式, mosfet id公式, mosfet反向電流, mosfet飽和區公式, mosfet飽和區條件, mos電流公式, mos飽和電流公式, P-N junction diode, pcb阻抗計算公式, pdf檔僅限學校教師搭配紙本教材用於課堂教學, peak forward current中文, pmos電流公式, Pn 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